Модуль посилення потужності
перешкод для частотного діапазону 850-940МГц виконаний за сучасною методикою з
використанням технології нітриду галію (GaN), завдяки чому він значно
перевершує інші, більш поширені напівпровідники. Інноваційне рішення дозволяє поєднувати
високу щільність енергії та незначні розміри, через що він легко інтегрується у
захисні та лабораторні пристрої професійного рівня.
Основні відмінності.
• Центральний фланцевий
транзистор має паспортні показники 60Вт, тому вся схема працює не на межі
можливостей, а з пристойним запасом, видаючи на виході заявлені 47дБм або
50±1Вт.
• Завдяки інтерфейсу SMA є
можливість підключення великої кількості антен різних типів та конструкцій.
• Стабільна частота
випромінювання протягом тривалого часу роботи.
• Товстостінний корпус із
спеціального сплаву одночасно служить захистом електроніки від зовнішніх
електромагнітних завад та механічних пошкоджень, а також пасивним охолодженням
забезпечуючи якісне тепловідведення від нагрітих компонентів.
• Якісне складання – при монтажі
для паяння компонентів використовувався срібний припій та очищений флюс,
теплові «містки» стягнуті болтами.
• Власний автономний
багаторівневий захист від КСВ, перегріву та перевантаження, придушення
імпульсних шумів електроживлення забезпечують високий рівень безпеки
використання. Завдяки таким особливостям виріб має тривалий термін експлуатації
та його досить важко вивести з ладу.
• Високий ККД.
Низьке енергоспоживання та
незначне нагрівання дозволяють використовувати модуль у різних мобільних та
автономних системах радіоелектронної боротьби.
Перед відправкою на заводський
склад кожен екземпляр піддається технічному контролю на перевірочному стенді.
Кріпити виріб рекомендується задньою стороною до радіатора для покращення охолодження силового блоку.
