Модуль усиления мощности помех
для частотного диапазона 850-940МГц выполнен по современной методике с
использованием технологии нитрида галлия (GaN), благодаря чему он значительно
превосходит другие, более распространенные полупроводники. Инновационное
решение позволяет сочетать высокую плотность энергии и незначительные размеры,
из-за чего он легко интегрируется в защитные и лабораторные устройства
профессионального уровня.
Основные отличия.
·
Центральный фланцевый транзистор имеет
паспортные показатели в 60Вт, поэтому вся схема работает не на пределе
возможностей, а с приличным запасом, выдавая на выходе заявленные 47дБм или 50±1Вт.
·
Благодаря интерфейсу SMA есть возможность
подключения большого количества антенн различных типов и конструкций.
·
Стабильная частота излучения на протяжении
длительного времени работы.
·
Толстостенный корпус из специального сплава
одновременно служит защитой электроники от внешних электромагнитных помех и
механических повреждений, а также пассивным охлаждением обеспечивая качественный
теплоотвод от нагретых компонентов.
·
Качественная сборка – при монтаже для пайки компонентов
использовался серебряный припой и очищенный флюс, тепловые «мостики» стянуты
болтами.
·
Собственная автономная многоуровневая защита от
КСВ, перегрева и перегрузки, подавление импульсных шумов электропитания,
обеспечивают высокий уровень безопасности использования. Благодаря таким
особенностям изделие имеет длительный срок эксплуатации и его довольно тяжело
вывести из строя.
·
Высокий КПД.
Низкое энергопотребление и
незначительный нагрев позволяют использовать модуль в различных мобильных и
автономных системах радиоэлектронной борьбы.
Перед отправкой на заводской
склад каждый экземпляр подвергается техническому контролю на проверочном
стенде.
Крепить изделие рекомендуется задней стороной к радиатору, для улучшения охлаждения силового блока.
